Зарядное устройство Huntkey 100W GaN Charger в Алматы

Зарядное устройство Huntkey 100W GaN Charger Технология GaN, быстрая зарядка с мощностью до 100Вт. Полупроводниковый материал третьего поколения. Компактное зарядное устройство. Технология GaN (нитрид галлия). Технология использования полупроводникового материала третьего поколения. GaN-это инновационный полупроводниковый материал, широко используемый в аэрокосмической и военной промышленностях. Материал обладает превосходной проводимостью и устойчивостью к высоким температурам, кислотам и щелочам. Благодаря этому зарядное устройство не только обладает небольшим весом и компактностью, но и может похвастаться преимуществом в преобразовании энергии по сравнению с зарядными устройствами такой же мощности, но изготовленнных без использования GaN. Максимальная мощность до 100Вт. Поддерживается зарядка ноутбуков. Благодаря мощности зарядки до 100Вт вы можете заряжать через USB-С новый MacBook Air/Pro, Mi Notebook, LG/HP/DELL XPS 13/15/17, Lenovo ThinkPad 9 и другие высокопроизводительные устройства. Зарядка двух устройств C1+C2: 60.0Вт + 20.0Вт (80.0Вт Max) C1+A: 60.0Вт + 18.0Вт (78.0Вт Max) C2+A: 60.0Вт + 18.0Вт (78.0Вт Max) Зарядка трех устройств C1+C2+A: 30.0Вт + 20.0Вт + 18.0Вт (78.0Вт Max) 5-амперный кабель включен в комплектацию. Быстрая и эффективная зарядка. В комплект поставки включен кабель USB Type-C to Type-C с поддержкой силы тока до 5А для быстрой зарядки. Кабель длиной 2 метр удовлетворит все ваши потребности. Высокая надежность. Отличная эффективность зарядки. Специальная микросхема обеспечивает интеллектуальную идентификацию силы тока для согласования с подключенным устройством, защищая его аккумулятор от повреждения. Адаптер питания успешно прошел тест на безопасность , подтверждая надежность использования и улучшенную эффективность зарядки. Защита от избыточного напряжения Защита от входного сверхтока Защита от выходного сверхтока Защита от короткого замыкания Защита от перегрева Низкий уровень электромагнитных помех Устойчивость к статическому электричеству